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NMOS的实物图和引脚分布如下图所示。什么是肖特基二极管肖特基二极管又叫势垒二极管，是由金属和半导体接触形成的二极管，其特点为：反向恢复时间非常短，为ns级别；正向导通压降非常低：为0.3-0.5V左右；漏电流较大、反向击穿电压比较低；通常用在低压关电源中，以肖特基二极管MBR30100为例，其实物图和结构图如下图所示。该肖特基二极管有三个电极，其中一个公共端是阴极，由两个二极管共阴极构成。关于场效应管的反向并接的二极管的问题?有些场效应管的规格书里原理图上标有一个稳压管符号，为了搞清楚其中的真正情况，我们抽取了几种有该二极管符号的样品进行检测试验，发现有以下两种情况：1.实际是本体的寄生二极管；2集成的肖特基二极管前一种情况，估计是文件时直接将其他文件中的图形复制过来所致。

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分析来看，在对变压器充电时，励磁涌流往往是引起变压器误动跳闸致使充电不成功的因素之一，务必引起高度重视：2011年3月，某变电站全停检修恢复送电时，运行人员在接调度令退出220kV线路断路器充电保护时，未退出充电保护功能压板，造成在对主变充电时励磁涌流定值达到断路器充电保护定值而动作跳闸。2013年6月，某变电站新设备投产过程中，因220kV线路断路器过流及充电保护压板未退出，在合上22 kV#2主变产生的励磁涌流导致220kV线路断路器充电保护动作、220kV线路差动出口动作、220kV线路远跳出口动作，引起220kV线路两侧断路器跳闸跳闸事件。相同结构电路部分，尽可能采用“对称式”标准布局;按照均匀分布、重心平衡、版面美观的标准优化布局。同类型插装元器件在X或Y方向上应朝一个方向放置。同一种类型的有极性分立元件也要力争在X或Y方向上保持一致，便于生产和检验。发热元件要一般应均匀分布，以利于单板和整机的散热，除温度检测元件以外的温度敏感器件应远离发热量大的元器件。高电压、大电流信号与小电流，低电压的弱信号完全分;模拟信号与数字信号分;高频信号与低频信号分;高频元器件的间隔要充分。原理图检查，尤其注意器件的电源和地(电源和地是系统的血脉，不能有丝毫疏忽)PCB封装绘制(确认原理图中的管脚是否有误)PCB封装尺寸逐一确认后，添加验证标签，添加到本次设计封装库导入网表，边布局边调整原理图中信号顺序(布局后不能再使用OrCAD的元件自动编号功能)手工布线(边布边检查电源地网络，前面说过：电源网络使用铺铜方式，所以少用走线)总之，PCB设计中的指导思想就是边绘制封装布局布线边反馈修正原理图(从信号连接的正确性、信号走线的方便性考虑)。现场IO模块，特别是模拟量的采样数据（机器代码，213/扫描周期）十分庞大，同时现场干扰因素较多，因此应该采用数据吞吐量大、抗干扰能力强的网络标准。基于RS485串口异步通讯方式的总线结构，符合现场通讯的要求。IO的采样数据经CPU转换后变为整形数据或实形数据，在操作级网络（第二层网络）上传输。因此操作级网络可以采用数据吞吐量适中、传输速度快、连接方便的网络标准，同时因操作级网络一般布置在控制室内，对抗干扰的要求相对较低。